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    電容器
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    瓷介電容器的分類及相關特性

    文章出處:作者:人氣:-發表時間:2016-08-09 08:24:00
      瓷介電容器的分類及相關特性 瓷片之構造乃在瓷質誘電體及銀電極所構成之素子電極上焊接導線而成。
     
      可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。
     
      1、I型(CC型)特點是體積小, 損耗低,電容對頻率,溫度穩定性都較高,常用于高頻電路。
     
      2、II型(CT型)特點是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩定性都較差,常用于低頻電路。
     

    一  CC1型圓片高頻瓷介電容
     
      適用于諧振回路及其他電路做,耦合,隔直使用。損耗:《0.025絕緣電阻:10000mohm 試驗電壓:200v
     
    允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數:-150--- -1000PPM/C環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%
     

    二  CT1型圓形瓷片低頻電容
     
      環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)
     
    三  CC01圓形瓷片電容
     
      環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)
     
      1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
     
      56—180P –750(+-250)PPM
     
      180—390P –1300(+-250)PPM
     
      430—820P –3300(+-500)PPM

    四  CT01圓形瓷片電容
     
      環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05
     
      絕緣電阻:1000mohm
     
      允差:+80 -20%容量:1000-47000p
     
      工作電壓:63v 試驗電壓:200v
     
    五  獨石瓷介電容器
     
    5.1  CC4D獨石瓷介電容器
     
      環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作電壓:40v 試驗電壓:120v
     

    5.2  CT4D獨石瓷介電容器
     
      環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作電壓:40v-100v 試驗電壓:3UW允差:+80-20%
     
    六  CC2,CT2管形瓷介電容器
     
      與片形瓷介電容相比,機械強度高,用作旁路時內電極屏蔽性能好,用在高頻電阻雜散耦合好,缺點是固有低,制造工藝復雜,產量低。
     
    CT2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗電壓:480v
     
      使用條件:-55—85c相對濕度:40C時達98%
     

    七  CC10 超高頻瓷介電容
     
      可用于《500MHZ下,環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度:加速度10g 沖擊:加速度25g 離心:加速度15g
     
      允差:k容量:1-47p工作電壓:500v
     
    八  CC11,CT11園片無引線瓷片電容
     
      該電容特為高頻頭設計,頻率特性好。
     
      CC11直流電壓:250V標稱容量:3—39P損耗:《0.0015 絕緣》10000mohm
     
      CT11直流電壓:160V標稱容量:240—1500 絕緣》2500mohm
     

    九  CT82,CC82高壓高功率瓷片電容
     
      環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動:加速度15g 沖擊:加速度15g額定電壓:1—4kv 試驗電壓:2.5—8kv允差:K,M
     
    十  CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器
     
      CC3損耗《0.0015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作電壓:100V
     
      CCTD損耗《0.035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作電壓:250V
     
      CCTF損耗《0.04 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作電壓:160V
     
    十一  CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容
     
      該類電容使用于VHF,UHF調諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。
     
      CC52E-1C 容量:2-33P工作電壓:63V 絕緣電阻:10000mohm損耗:《0.0015
     
      CC53-2C 容量:1000-1500P工作電壓:160V 絕緣電阻:1000mohm損耗《0.035
     
    十二  CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器
     
      該電容主要使用于電子設備的。CC87-1 容量:470P工作電壓:10KV 絕緣電阻:10000mohm
     
     
    十三  CCG81型板形高功率瓷介電容
     
      使用于大功率高頻電子設備中。容量:1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無功功率:100KVA最大電流:25A 最大重量:1.3KG
     

     


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